Infineon разработала GaN-транзисторы для базовых станций 5G

По мнению аналитиков, главным стимулом перехода на транзисторы из нитрида галлия (GaN) на подложках из карбида кремния (SiC) станут электромобили.

Автомобили изменили сначала Америку, а потом и весь мир. Поэтому у автопрома точно так же много шансов изменить мир с помощью электромобилей. Само собой, это заденет электронную промышленность в плане перехода на новую силовую элементную базу с ещё большей эффективностью.

Другим важным направлением для развития «не кремниевых» полупроводников обещает стать сотовая связь пятого поколения (5G). Пропускная способность каналов 5G обещает возрасти до 20 Гбит/с и перейти в более высокий частотный диапазон с несущей частотой на уровне 6 ГГц. С традиционными кремниевыми транзисторами LDMOS будет трудно как покорять новые частоты, так и демонстрировать приемлемую эффективность работы. Выходом из этой ситуации тоже может стать массовый выпуск силовых GaN-транзисторов, работающих в радиочастотном диапазоне.

Как сообщает нам официальный пресс-релиз Infineon, компания готовит массовый выпуск силовых RF-транзисторов из нитрида галлия на подложках из карбида кремния. Разработка пока доступна в виде пробных партий. Транзисторы способны обслужить стандартные диапазоны 1,8–2,2 ГГц или 2,3–2,7 ГГц, но также смогут встретить сети 5G с диапазоном 6 ГГц. Эффективность GaN-транзисторов на 10 % выше по сравнению с обычными LDMOS-транзисторами.

Что более важно, новые решения способны выдержать в пять раз большую удельную мощность, чем актуальные полупроводники. Это позволит значительно снизить размеры как силовых элементов, так и готовой продукции в виде передатчиков мощности. Мы не сомневаемся, что операторы сотовых сетей всегда отдадут предпочтение более компактному оборудованию, если оно по функциональности, эффективности и мощности превосходит конкурирующие аналоги, а значит, компания Infineon работает в правильном направлении.