Samsung запустила серийное производство чипов памяти с рекордной емкостью

Компания Samsung заявила о начале массового производства первых в отрасли чипов флэш-памяти 3D V-NAND (Vertical NAND) ёмкостью 256 Гбит. 

Новая память отновится к третьему поколению памяти V-NAND. Второе поколение чипов, в которых было 32 слоя ячеек, компания анонсировала в августе 2014 г.

Плотность записи данных для новой флэш-памяти в два раза превышает аналогичные показатели традиционных чипов флэш-памяти на 128 Гбит. Помимо того, что удалось обеспечить объем памяти 32 ГБ на базе одного кристалла, новый чип также позволит удвоить емкость существующих твердотельных накопителей Samsung и стать оптимальным решением для мультитерабайтных твердотельных дисков, рассказали в компании.

В новом чипе V-NAND в каждой ячейке используется структура 3D Charge Trap Flash (CTF), в составе которой массивы ячеек устанавливаются вертикально друг на друга и образуют, таким образом, 48-слойный массив, который подключается электрически через 1,8 млрд канальных отверстий, пронизывающих массивы благодаря специальной технологии травления.

В целом каждый чип включает более чем 85,3 млрд ячеек. Каждая ячейка может хранить три бита данных, что в целом позволяет хранить 256 млрд бит данных.

«Другими словами, объем данных 256 Гбит умещается на чипе, который можно разместить на кончике пальца», — пояснили в компании.

48-слойный чип потребляет электроэнергии примерно на 30% меньше по сравнению с 32-слойным чипом в расчете на единицу емкости.

Продуктивность изготовления новых чипов на 40% выше по сравнению с решениями предыдущего поколения. Это позволит вывести на рынок более доступные SSD, используя существующее оборудование.

Компания планирует производить третье поколение памяти V-NAND на протяжении оставшихся месяцев 2015 г.

Новые, более ёмкие микросхемы 3D V-NAND помогут компании сделать твердотельные накопители и прочие устройства, использующие флеш-память, более доступными для покупателя, а значит, более популярными, что, несомненно, должно положительно отразиться на рыночной доле Samsung в этом секторе.

Напомним, что в 2012 году Samsung Electronics анонсировала начало производства пробных образцов 16-гигабайтных модулей новой памяти DDR4 формата RDIMM (registered dual inline memory modules) для использования в серверных системах.